▲ 도시바 산업 장비용 300kA²s I²t 용량을 갖춘 3300V, 800A 듀얼 SiC MOSFET 모듈 ‘IX800FXF2YMS4’ [출처=도시바]

도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)에 따르면 2026년 9월27일 산업 장비용 듀얼 SiC MOSFET 모듈 ‘IX800FXF2YMS4’를 출시했다.

신제품 모듈은 도시바의 3세대 실리콘 카바이드(SiC) MOSFET 칩을 탑재해 3300V의 드레인-소스 전압 정격과 800A의 드레인 전류(DC) 정격을 갖췄다. 사양에는 서지 전류 내량 지표인 다이오드부의 I2t 한계값이 명시돼 있다.

철도 견인 인버터 및 컨버터, 재생에너지 발전 시스템, 산업용 모터 제어 장비를 포함한 산업 장비 제조업체는 높은 효율, 소형화, 향상된 신뢰성에 대한 커지는 수요를 지속적으로 충족해야 한다.

이러한 시스템에서 이상 상태 발생 시 전력 반도체 모듈에 흐를 수 있는 큰 서지 전류가 발생하더라도 견딜 수 있도록 충분한 서지 전류 내량을 갖춰야 한다.

IX800FXF2YMS4는 최적화된 SiC 칩 설계를 적용해 이상 상태에서 다이오드부의 서지 전류 내량을 나타내는 지표인 300kA2s의 I2t 특성을 구현했다.

이 모듈은 1.4V(일반)의 드레인-소스 온(on) 전압(센스)(VDS(on)sense)을 제공해 전도 손실 감소에 기여한다. 또한 185mJ(일반)의 턴온(turn-on) 스위칭 손실(Eon)과 175mJ(일반)의 턴오프(turn-off) 스위칭 손실(Eoff) 특성을 통해 전체 스위칭 손실을 줄이는 데 도움이 된다. 이러한 특성은 장비의 신뢰성 및 효율을 높이고 냉각 시스템을 소형화하는 데 기여한다.

신제품은 실장 호환성이 뛰어난 iXPLV™ 패키지를 채택했다. 은 소결(silver sintering) 접합 기술로 SiC 칩과 접합부의 내열성 및 신뢰성을 높여 산업 장비에 요구되는 175°C 채널 온도 정격을 달성했다.

이번 신제품 추가로 iXPLV™ 패키지를 적용한 도시바의 SiC MOSFET 모듈은 4종으로 늘어나 제품 선택의 폭이 넓어졌다.

도시바는 앞으로도 산업 장비용 SiC MOSFET 모듈 제품군을 확대해 다양한 장비 사양과 애플리케이션을 충족하는 폭넓은 제품 옵션을 제공할 예정이다. 또한 더 안정적이고 효율적이며 콤팩트한 산업 장비 구현에 기여할 것이다.